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1 INSEGNAMENTO OBBLIGATORIO - (visualizza)
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20801862 -
ANTENNE E PROPAGAZIONE
(obiettivi)
Il corso si propone di completare la formazione sulle antenne ricevuta in corsi precedenti, in particolare in relazione allo studio e progettazione delle antenne ad apertura, delle antenne planari e degli allineamenti di antenne. Introduce inoltre il problema dello scattering elettromagnetico sia da strutture presenti nell’ambiente che da eventuali diffusori presenti nel terreno. Si propone infine di affrontare lo studio della propagazione delle onde radio e microonde nell’atmosfera terrestre. Ambiti di applicazione: industria biomedica, elettrica, elettronica e delle telecomunicazioni.
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Erogato presso
20801862 ANTENNE E PROPAGAZIONE in INGEGNERIA DELLE TECNOLOGIE DELLA COMUNICAZIONE E DELL'INFORMAZIONE (DM 270) LM-27 N0 SCHETTINI GIUSEPPE
( programma)
Fondamenti della radiazione elettromagnetica e parametri di un’antenna. Radiazione da dipolo corto. Radiazione da un loop di corrente. Radiazione da una distribuzione arbitraria di corrente. Dipolo a lambda mezzi. Impedenza d’antenna. Antenna a dipolo ripiegato, a dipolo corto e a monopolo. Antenne riceventi. Teorema di reciprocità ed area efficace. Disadattamento di polarizzazione. Formula di trasmissione di Friis. Rumore nei sistemi di comunicazione. Temperatura di rumore di antenna.
Introduzione agli array. Array monodimensionali, broad-side, end-fire. Array bidimensionali. Reti di alimentazione. Array parassiti. Antenne in ricezione: teorema di reciprocità ed area efficace, formula di trasmissione di Friis. Temperatura di rumore di antenna. Progettazione degli array. Metodo di Chebyshev, arrays binomiali, array polinomiali. Reti di alimentazione. Matrici di Butler. Arrays parassiti. Arrays log-periodici.
Antenne ad apertura: analisi e progettazione. Radiazione da una apertura piana. Metodo della trasformata di Fourier. Radiazione da apertura rettangolare e circolare. Principio di equivalenza. Applicazione del principio di equivalenza alla radiazione da apertura. Antenne a tromba. Radiazione da guida d'onda rettangolare e circolare. Ottica geometrica. Lenti a microonde. Antenne a paraboloide: efficienza, direttività, cross-polarizzazione. Metodo delle correnti indotte. Feed con bassa cross-polarizzazione. Sistemi a doppio riflettore. Radiazione da fenditura. Sintesi di allineamenti di fenditure. Antenne planari a microstriscia.
Diffusione della radiazione in ambiente elettromagnetico complesso e casi canonici. Scattering di un’onda piana da un cilindro conduttore, polarizzazione E ed H. Cilindro dielettrico. Propagazione tra punti fissi. Diffrazione da ostacoli a lama di coltello. Relazioni costitutive in un mezzo ionizzato. Propagazione nel plasma ionosferico.
Le esercitazioni sono parte integrante del programma d’esame.
( testi)
A. Paraboni, M. D’Amico, “Radiopropagazione” Mc Graw-Hill Libri Italia. A. Paraboni, "Antenne", Mc Graw-Hill Libri Italia. C. Balanis, "Antenna theory, analysis and design", 3rd edition, Wiley, Robert E. Collin, "Antennas and Radiowave propagation", McGraw-Hill Book Company.
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Attività formative caratterizzanti
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20801926 -
ELETTRONICA DEI DISPOSITIVI A STATO SOLIDO
(obiettivi)
Il corso si propone di illustrare il funzionamento dei principali dispositivi a semiconduttore basati su omo e eterogiunzione; il loro collegamento verso il mondo esterno, la formazione di contatti ohmici oppure raddrizzanti utilizzati in micro e nanoelettronica. Verranno studiate le caratteristiche a bassa e alta frequenza e i modelli matematici dei mesfet, mosfet, bjt, hbt, e quelli più avanzati che utilizzano strutture quantistiche che producono confinamento dei portatori di carica come gli hemt e phemt, i modfet basati su gaas/algaas e gan/algan. Verranno anche studiati i dispositivi di base per le applicazioni a microonde come i diodi a tempo di transito, i dispositivi a tunneling risonante, ecc.
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CONTE GENNARO
( programma)
1. Fisica dei Semiconduttori. Materiali per l’elettronica. Struttura a bande e proprietà generali. Semiconduttori IV, III-V e II-VI. Leghe. Semiconduttori amorfi e policristallini. Portatori intrinseci. Conducibilità. Drogaggio. Mobilità e fattori che la influenzano. Fenomeni di non-equilibrio. Trascinamento/deriva dei portatori di carica. L’equazione di Fick: diffusione. Ricombinazione e generazione. Banda-banda termica. Teoria SHR a un livello trappola. - L’equazione di continuità di elettroni e lacune. Condizioni al contorno. Equazione di Poisson. La relazione di Einstein. Quasi-livelli di Fermi. Modello matematico di un semiconduttore. - Teorema di Ramo. Fotoconducibilità. Fotoresistenze. Guadagno fotoconduttivo.
2. Dispositivi Bipolari. La giunzione pn. Caratteristiche statiche. Polarizzazione diretta e inversa. Profilo dei portatori in eccesso. Correnti di drift e diffusione. Il diodo ideale di Shockley. Elettrostatica della giunzione p+-n. Potenziale e campo elettrico. Caratteristiche dinamiche. Capacità di transizione. Un modello matematico per il diodo. Fattore di qualità. Coefficiente di temperatura. Il transistore prototipo. Transistori per IC. Dispositivi per commutazione e amplificazione. Transistore Schottky. Dispositivi verticali e laterali. BJT pnp. Il BJT come interruttore e amplificatore. Guadagno di corrente. Numero di Gummel. Effetto Early. Effetto Kirk. Modello per piccoli. La giunzione pn alla luce. Il fotodiodo pin. APD-Avalanche Photodiode. Risposta spettrale. Elettroluminescenza. Drogaggio. Transizioni radiative e non-radiative. Tempo di vita dei minoritari. Efficienza di luminescenza. Efficienza di estrazione. Architetture dei dispositivi. LED per IR, Vis e UV. Eterogiunzioni: la giunzione Ge-GaAs. Allineamento delle bande. Teoria di Anderson. Giunzioni anisotipo. Il transistore ideale. HBT-Npn a eterogiunzione. Modello termoionico-Diffusivo. Correnti termoioniche in eccesso. Correnti di diffusione.
3. Dispositivi Unipolari. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e Fbi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n. JFET e MESFET. Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS à VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS à VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore. Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. MOSFET: modello a controllo di carica. NMOS, PMOS e CMOS. Dispositivi a svuotamento e arricchimento. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Leggi di scala.
Elementi di Tecnologie micro/nanoelettroniche. Crescita e purificazione del Silicio. Drogaggio per Diffusione. Impiantazione Ionica. Evaporazione dei metalli, Fotolitografia, Reactive Ion Etching. Ossidazione del Silicio. Epitassia. Tecnologia BJT, NMOS e CMOS.
( testi)
D.A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices, 3rd Ed., McGraw-Hill, 2003. R.S Muller, T.I. Kamins - Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Ed., John Wiley, 2009
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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20802094 -
SUPERCONDUTTIVITA' CON APPLICAZIONI
(obiettivi)
Acquisire conoscenze scientifiche riguardanti la superconduttività nei suoi aspetti sperimentali, nei modelli teorici di base e nelle applicazioni. Collegare correttamente esperimenti chiave agli aspetti teorici, e viceversa. Identificare quali peculiarità dei superconduttori siano sfruttate in applicazioni tipiche.
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SILVA ENRICO
( programma)
1 Fondamenti e complementi. Resistenza nulla, correnti persistenti. Persistent Current Switch. Effetto Meissner. Superconduttori di tipo I e II. Campi critici. Quantizzazione del flussoide. Equazioni dei London.
2 Materiali superconduttori. Elementi. Leghe, composti binari. Cuprati. Altri superconduttori.
3 Cenni alla teoria microscopica. Coppie di Cooper: discussione qualitativa. Lunghezza di coerenza BCS. Stato fondamentale BCS. Quasiparticelle. Effetti a temperatura non nulla. Evidenze sperimentali: effetto isotopico; assorbimento di radiazione elettromagnetica: la gap. Corrente di depairing.
4 Effetto Josephson. Effetto Josephson (derivazione di Feynmann). Modello RCSJ. Effetto Josephson ac. Shapiro steps. Standard di tensione. SQUID; Effetto del campo magnetico, corrente critica e interferenza quantistica. Caso di schermaggio debole. Applicazioni.
5 Proprietà di trasporto. Modello a due fluidi. Conducibilità ac. Impedenza superficiale. Applicazioni: linee di ritardo; filtri; cavità acceleratrici.
6 Termodinamica dello stato superconduttivo. Energia libera di Gibbs. Energia di condensazione. Teoria di Ginzburg-Landau. Lunghezze caratteristiche. Energia superficiale: superconduttori di tipo II.
7 Superconduttori di Tipo II. Flussoni. Reticolo di Abrikosov. Campi critici inferiore e superiore. Moto flussonico. Pinning. Irreversibilità. Modello di Bean. Flux-flow, flux-creep, TAFF.
8 Argomenti ulteriori Superconduttori anisotropi. Levitazione magnetica. Applicazioni di potenza, cavi e magneti per la fusione nucleare.
( testi)
SONO ELENCATI I TESTI DA CUI SONO TRATTI GLI ARGOMENTI. SUL SITO SONO INDICATI I CAPITOLI E PARAGRAFI. LUCIDI E DISPENSE VENGONO DISTRIBUITI DURANTE IL CORSO ATTRAVERSO IL SITO WEB. SITO WEB (AL MOMENTO DELLA REDAZIONE DI QUESTA NOTA): http://webusers.fis.uniroma3.it/
[BK] W. Buckel, R. Kleiner, "Superconductivity - Fundamentals and Applications", Wiley
[EH] C. Enss, S. Hunklinger, "Low-Temperature Physics", Springer
[FS] K. Fossheim, A. Sudbø, "Superconductivity - Physics and applications", John Wiley and Sons, Ltd.
[IW] Iwasa, "Case Studies in Superconducting Magnets", 2nd Edition, Springer
[OD] T.P. Orlando, K.A. Delin, "Foundations of Applied Superconductivity", Addison Wesley si vedano anche le slide del corso "Applied Superconductivity" del MIT (Open CourseWare)
[OPe] F. J. Owens, Ch. P. Poole, Jr., "Electromagnetic Absorption in the Copper Oxide Superconductors", Springer
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FIS/03
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Attività formative affini ed integrative
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20810070 -
SOSTENIBILITA' E IMPATTO AMBIENTALE
(obiettivi)
Fornire agli allievi nozioni in materia di impatto ambientale delle attività antropiche, classificare gli impatti, illustrare il concetto di sostenibilità, descrivere procedure di valutazione di impatto ambientale e protocolli di certificazione ambientale. Illustrare, attraverso casi di studio significativi, esempi di valutazione di impatto ambientale e di mitigazione degli impatti.
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ASDRUBALI FRANCESCO
( programma)
Generalità, consumi, riserve e previsioni: Caratteri di interdisciplinarietà dei problemi energetici. Definizione delle grandezze e degli indici energetici. Consumi, riserve e previsioni: il panorama energetico mondiale, la situazione energetica italiana. Sviluppo sostenibile Le conferenze internazionali in materia di clima e ambiente: il Protocollo di Kyoto, il post-Kyoto, COP 21. Le direttive comunitarie in materia di energia, ambiente e clima. Lo sviluppo sostenibile: definizione, strumenti e metodi. La carta di Aalborg, i processi di Agenda 21, il patto dei Sindaci. L’inquinamento ambientale Impatto ambientale dei sistemi energetici, produttivi e delle infrastrutture di trasporto. Inquinamento atmosferico: sorgenti, inquinanti, legislazione, tecniche per il controllo delle emissioni. L’inquinamento globale: piogge acide, ozono, effetto serra. Altre forme di inquinamento: l’inquinamento termico, acustico, elettromagnetico Valutazioni di impatto ambientale La valutazione di impatto ambientale: legislazione, procedure, metodologie, contenuti e fasi., Valutazione Ambientale Strategica. Impronta ambientale Procedure di valutazione dell’impronta ambientale: Life Cycle Assessment; Life Cycle Social Assessment. Carbon Footprint e Water Footprint. Protocolli di certificazione ambientale Sistemi di certificazione ambientale dei processi produttivi: ISO 14000, EMAS, Ecolabel. Protocolli di sostenibilità ambientale degli edifici: LEED; BREEAM; ITACA. Protocolli di certificazione di sostenibilità delle Università: Green Metric La Green Economy Definizioni, settori di intervento, Manifesto della Green Economy. Cenni ai meccanismi di incentivazione nel settore della Green Economy. Analisi costi/benefici. Applicazioni e casi di studio Esempi di valutazioni di impatto ambientale: processi produttivi dell’industria manifatturiera, dell’industria elettronica, del settore delle costruzioni (edifici e infrastrutture di trasporto); servizi informatici e delle telecomunicazioni. Mitigazione degli impatti. Buone pratiche di sostenibilità.
( testi)
Tutti i materiali delle lezioni saranno resi disponibili sulla piattaforma Moodle di Ateneo; saranno inoltre consigliati testi di approfondimento.
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ING-IND/11
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Attività formative affini ed integrative
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20801926 -
ELETTRONICA DEI DISPOSITIVI A STATO SOLIDO
(obiettivi)
Il corso si propone di illustrare il funzionamento dei principali dispositivi a semiconduttore basati su omo e eterogiunzione; il loro collegamento verso il mondo esterno, la formazione di contatti ohmici oppure raddrizzanti utilizzati in micro e nanoelettronica. Verranno studiate le caratteristiche a bassa e alta frequenza e i modelli matematici dei mesfet, mosfet, bjt, hbt, e quelli più avanzati che utilizzano strutture quantistiche che producono confinamento dei portatori di carica come gli hemt e phemt, i modfet basati su gaas/algaas e gan/algan. Verranno anche studiati i dispositivi di base per le applicazioni a microonde come i diodi a tempo di transito, i dispositivi a tunneling risonante, ecc.
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Erogato presso
20801926 ELETTRONICA DEI DISPOSITIVI A STATO SOLIDO in INGEGNERIA ELETTRONICA PER L'INDUSTRIA E L'INNOVAZIONE (DM 270) LM-29 N0 CONTE GENNARO
( programma)
1. Fisica dei Semiconduttori. Materiali per l’elettronica. Struttura a bande e proprietà generali. Semiconduttori IV, III-V e II-VI. Leghe. Semiconduttori amorfi e policristallini. Portatori intrinseci. Conducibilità. Drogaggio. Mobilità e fattori che la influenzano. Fenomeni di non-equilibrio. Trascinamento/deriva dei portatori di carica. L’equazione di Fick: diffusione. Ricombinazione e generazione. Banda-banda termica. Teoria SHR a un livello trappola. - L’equazione di continuità di elettroni e lacune. Condizioni al contorno. Equazione di Poisson. La relazione di Einstein. Quasi-livelli di Fermi. Modello matematico di un semiconduttore. - Teorema di Ramo. Fotoconducibilità. Fotoresistenze. Guadagno fotoconduttivo.
2. Dispositivi Bipolari. La giunzione pn. Caratteristiche statiche. Polarizzazione diretta e inversa. Profilo dei portatori in eccesso. Correnti di drift e diffusione. Il diodo ideale di Shockley. Elettrostatica della giunzione p+-n. Potenziale e campo elettrico. Caratteristiche dinamiche. Capacità di transizione. Un modello matematico per il diodo. Fattore di qualità. Coefficiente di temperatura. Il transistore prototipo. Transistori per IC. Dispositivi per commutazione e amplificazione. Transistore Schottky. Dispositivi verticali e laterali. BJT pnp. Il BJT come interruttore e amplificatore. Guadagno di corrente. Numero di Gummel. Effetto Early. Effetto Kirk. Modello per piccoli. La giunzione pn alla luce. Il fotodiodo pin. APD-Avalanche Photodiode. Risposta spettrale. Elettroluminescenza. Drogaggio. Transizioni radiative e non-radiative. Tempo di vita dei minoritari. Efficienza di luminescenza. Efficienza di estrazione. Architetture dei dispositivi. LED per IR, Vis e UV. Eterogiunzioni: la giunzione Ge-GaAs. Allineamento delle bande. Teoria di Anderson. Giunzioni anisotipo. Il transistore ideale. HBT-Npn a eterogiunzione. Modello termoionico-Diffusivo. Correnti termoioniche in eccesso. Correnti di diffusione.
3. Dispositivi Unipolari. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e Fbi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n. JFET e MESFET. Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS à VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS à VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore. Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. MOSFET: modello a controllo di carica. NMOS, PMOS e CMOS. Dispositivi a svuotamento e arricchimento. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Leggi di scala.
Elementi di Tecnologie micro/nanoelettroniche. Crescita e purificazione del Silicio. Drogaggio per Diffusione. Impiantazione Ionica. Evaporazione dei metalli, Fotolitografia, Reactive Ion Etching. Ossidazione del Silicio. Epitassia. Tecnologia BJT, NMOS e CMOS.
( testi)
D.A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices, 3rd Ed., McGraw-Hill, 2003. R.S Muller, T.I. Kamins - Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Ed., John Wiley, 2009
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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20802122 -
SENSORI E TRASDUTTORI
(obiettivi)
Lo scopo del corso è descrivere i principi di funzionamento dei principali sensori e trasduttori a ultrasuoni. Saranno fornite agli studenti le conoscenze di base dell’acustoelettronica, in modo da fornire gli strumenti per l’analisi e la simulazione dei sistemi di trasduzione. Particolare enfasi sarà data ai sensori capacitivi microlavorati su silicio, che rappresentano lo stato dell’arte dell’attuale tecnologia dei microsensori integrati. E' prevista una parte esercitativa in laboratorio.
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CALIANO GIOSUE'
( programma)
Il corso verterà sui seguenti argomenti: • Introduzione • Richiami di Acustica • Equazione dell'onda piana; onda sferica • Riflessione e rifrazione dell'onda • Concetto di impedenza acustica • Impedenza di radiazione • Principali applicazioni degli ultrasuoni (misuratore di distanza, sistemi ecografici, microscopio acustico, ecc.) • Trasduttori piezoelettrici: teoria e tecnologia • Trasduttori CMUT: teoria di funzionamento • Trasduttori CMUT: tecnologia • Caratterizzazione e misure di trasduttori ad ultrasuoni
( testi)
• Appunti e dispense dalle lezioni • Kino, “Acoustic waves: devices, imaging and analog signal processing” • Kinsler, Frey, Coppers, Sanders “Fundamentals of acoustics” • Morse, Ingard, “Theoretical acoustics” • Beranek, “Acoustics measurements” • J. W. Gardner: “Microsensors: Principles and applications”, J. Wiley & Sons. • Piezoelectric and Acoustic Materials for Transducer Applications, edited by Ahmad Safari, E. Koray Akdogan - ISBN 978-0-387-76538-9 , 2008 Springer Science
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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20802051 -
DIAGNOSTICA AMBIENTALE ELETTROMAGNETICA
(obiettivi)
1) valutazione del campo elettromagnetico in ambienti indoor/outdoor; 2) caratterizzazione elettromagnetica di sensori nelle differenti condizioni operative di misura (far-field, near-field); 3) misure dei livelli di campo em in ambienti indoor/outdoor generatidai sistemi di telecomunicazione broadcast 3g e radio e tv; 4) utilizzo di cad elettromagnetici; 5) norme di legge riguardanti l'inquinamento elettromagnetico.
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TOSCANO ALESSANDRO
( programma)
Misura e valutazione dei campi elettromagnetici con riferimento all’esposizione umana. Caratteristiche generali dei campi elettromagnetici a bassa e ad alta frequenza e concetti di esposizione. Caratteristiche delle sorgenti. Concetti di dosimetria. Misure. Strumenti di misura.
( testi)
Normativa CEI 211-6 e 211-7
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ING-INF/02
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Attività formative caratterizzanti
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20810026 -
COMPONENTI A MICROONDE
(obiettivi)
Lo scopo del corso è quello di fornire le nozioni fondamentali per il progetto accurato di circuiti e componenti a microonde e ad onde millimetriche, quali accoppiatori direzionali, filtri, diodi operanti ad altissima frequenza, mixer, amplificatori a transistor e di potenza, oscillatori. Particolare rilievo viene dato all'impatto che l'uso di nuovi materiali artificiali come i metamateriali può avere sul miglioramento delle prestazioni di tali componenti. Al termine del corso gli studenti avranno inoltre conseguito la capacità di utilizzare un tipico programma per il cad a iperfrequenze.
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Erogato presso
20810026 COMPONENTI A MICROONDE in INGEGNERIA DELLE TECNOLOGIE DELLA COMUNICAZIONE E DELL'INFORMAZIONE (DM 270) LM-27 RAMACCIA DAVIDE
( programma)
PARTE 1 - Le Linee di Trasmissione, Adattamento delle linee di trasmissione, Carta di Smith, Reti di adattamento a banda stretta, Teoria delle piccole riflessioni, Reti di adattamento a banda larga, Trasformatore binomiale e di Chebyshev, Rappresentazione a matrici delle reti a microonde, Matrice ABCD, Matrice dellle impedenze e delle ammettenze, Matrice di scattering e relazioni con le altre rappresentazioni matriciali.
PARTE 2 - Matrice di Scattering [S] di una rete a N porte, Proprietà del componente osservando la matrice [S]: Reciprocità, Adattamento, Lossless, Condizione di matrice unitaria per la matrice [S], Analisi di un componente a partire dalla sua matrice di scattering, Analisi di un componente con porte chiuse su un carico diverso dall'impedenza caratteristica, Rappresentazione a Grafo della matrice [S] per l'analisi dei componenti
PARTE 3 - Reti a 3 Porte, Analisi di una rete 3 porte generica,Circolatore a microonde, Definizione della Matrice [S] di un circolatore, Principio di funzionamento di un circolatore, Teoria e Progettazione di un Circolatore, Divisori di Potenza, Definizione della Matrice [S] di un divisore, Proprietà del Componente,Divisore a giunzione, Divisore resisitivo, Divisore di Wilkinson, Analisi modale di un divisore di Wilkinson, Divisori bilanciati e sbilanciati,Divisori a 2 uscite, Divisori ad N uscite,Progettazione di un divisore di potenza
PARTE 4 - Reti a 4 porte, Analisi di una rete 4 porte generica, Accoppiatore Direzionale (AD), Tipi di Accoppiatore direzionale (simmetrico, antisimmetrico, ibrido), Proprietà e parametri di un AD, Waveguide Directional Couplers: Bethe Hole Coupler, Double Bethe Hole Coupler, Multi hole Bethe Coupler, Coupled Lines Directional Couplers, Teoria delle linee accoppiate e progettazione tramite Curve Z0e e Z0o, Accoppiatore direzionale ibrido, Ibrido in quadratura: analisi modale e progettazione, Ibrido a 180°: analisi modale e progettazione
PARTE 5 - Analisi e progettazioni di Filtri a Microonde, reti di adattamento di amplificatori a microonde, Introduzione all'analisi e progettazione di componenti in metamateriale.
( testi)
David Pozar, Microwave engineering 4th Edition S.J. Orfanidis, Electromagnetic Waves and Antennas I Bahl and P. Bhartia, Microwave solid state circuit design
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ING-INF/02
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Attività formative caratterizzanti
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