Università Roma Tre

1. Fisica dei Semiconduttori. Materiali per l’elettronica. Struttura a bande e proprietà generali. Semiconduttori IV, III-V e II-VI. Leghe. Semiconduttori amorfi e policristallini. Portatori intrinseci. Conducibilità. Drogaggio. Mobilità e fattori che la influenzano. Fenomeni di non-equilibrio. Trascinamento/deriva dei portatori di carica. L’equazione di Fick: diffusione. Ricombinazione e generazione. Banda-banda termica. Teoria SHR a un livello trappola.
- L’equazione di continuità di elettroni e lacune. Condizioni al contorno. Equazione di Poisson. La relazione di Einstein. Quasi-livelli di Fermi. Modello matematico di un semiconduttore.
- Teorema di Ramo. Fotoconducibilità. Fotoresistenze. Guadagno fotoconduttivo.

2. Dispositivi Bipolari. La giunzione pn. Caratteristiche statiche. Polarizzazione diretta e inversa. Profilo dei portatori in eccesso. Correnti di drift e diffusione. Il diodo ideale di Shockley. Elettrostatica della giunzione p+-n. Potenziale e campo elettrico. Caratteristiche dinamiche. Capacità di transizione. Un modello matematico per il diodo. Fattore di qualità. Coefficiente di temperatura. Il transistore prototipo. Transistori per IC. Dispositivi per commutazione e amplificazione. Transistore Schottky. Dispositivi verticali e laterali. BJT pnp. Il BJT come interruttore e amplificatore. Guadagno di corrente. Numero di Gummel. Effetto Early. Effetto Kirk. Modello per piccoli. La giunzione pn alla luce. Il fotodiodo pin. APD-Avalanche Photodiode. Risposta spettrale. Elettroluminescenza. Drogaggio. Transizioni radiative e non-radiative. Tempo di vita dei minoritari. Efficienza di luminescenza. Efficienza di estrazione. Architetture dei dispositivi. LED per IR, Vis e UV. Eterogiunzioni: la giunzione Ge-GaAs. Allineamento delle bande. Teoria di Anderson. Giunzioni anisotipo. Il transistore ideale. HBT-Npn a eterogiunzione. Modello termoionico-Diffusivo. Correnti termoioniche in eccesso. Correnti di diffusione.

3. Dispositivi Unipolari. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e Fbi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n. JFET e MESFET. Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS à VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS à VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore. Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. MOSFET: modello a controllo di carica. NMOS, PMOS e CMOS. Dispositivi a svuotamento e arricchimento. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Leggi di scala.

Elementi di Tecnologie micro/nanoelettroniche.
Crescita e purificazione del Silicio. Drogaggio per Diffusione. Impiantazione Ionica. Evaporazione dei metalli, Fotolitografia, Reactive Ion Etching. Ossidazione del Silicio. Epitassia. Tecnologia BJT, NMOS e CMOS.

D.A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices, 3rd Ed., McGraw-Hill, 2003.
R.S Muller, T.I. Kamins - Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Ed., John Wiley, 2009