Gruppo opzionale:
Nuovo gruppo OPZIONALE - (visualizza)
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20802094 -
SUPERCONDUTTIVITA' CON APPLICAZIONI
(obiettivi)
ACQUISIRE CONOSCENZE SCIENTIFICHE RIGUARDANTI LA SUPERCONDUTTIVITÀ NEI SUOI ASPETTI SPERIMENTALI, NEI MODELLI TEORICI DI BASE E NELLE APPLICAZIONI. COLLEGARE CORRETTAMENTE ESPERIMENTI CHIAVE AGLI ASPETTI TEORICI, E VICEVERSA. IDENTIFICARE QUALI PECULIARITÀ DEI SUPERCONDUTTORI SIANO SFRUTTATE IN APPLICAZIONI TIPICHE.
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SILVA ENRICO
( programma)
1 Fondamenti e complementi. Resistenza nulla, correnti persistenti. Persistent Current Switch. Effetto Meissner. Superconduttori di tipo I e II. Campi critici. Quantizzazione del flussoide. Equazioni dei London.
2 Materiali superconduttori. Elementi. Leghe, composti binari. Cuprati. Altri superconduttori.
3 Cenni alla teoria microscopica. Coppie di Cooper: discussione qualitativa. Lunghezza di coerenza BCS. Stato fondamentale BCS. Quasiparticelle. Effetti a temperatura non nulla. Evidenze sperimentali: effetto isotopico; assorbimento di radiazione elettromagnetica: la gap. Corrente di depairing.
4 Effetto Josephson. Effetto Josephson (derivazione di Feynmann). Modello RCSJ. Effetto Josephson ac. Shapiro steps. Standard di tensione. SQUID; Effetto del campo magnetico, corrente critica e interferenza quantistica. Caso di schermaggio debole. Applicazioni.
5 Proprietà di trasporto. Modello a due fluidi. Conducibilità ac. Impedenza superficiale. Applicazioni: linee di ritardo; filtri; cavità acceleratrici.
6 Termodinamica dello stato superconduttivo. Energia libera di Gibbs. Energia di condensazione. Teoria di Ginzburg-Landau. Lunghezze caratteristiche. Energia superficiale: superconduttori di tipo II.
7 Superconduttori di Tipo II. Flussoni. Reticolo di Abrikosov. Campi critici inferiore e superiore. Moto flussonico. Pinning. Irreversibilità. Modello di Bean. Flux-flow, flux-creep, TAFF.
8 Argomenti ulteriori Superconduttori anisotropi. Levitazione magnetica. Applicazioni di potenza, cavi e magneti per la fusione nucleare.
( testi)
SONO ELENCATI I TESTI DA CUI SONO TRATTI GLI ARGOMENTI. SUL SITO SONO INDICATI I CAPITOLI E PARAGRAFI. LUCIDI E DISPENSE VENGONO DISTRIBUITI DURANTE IL CORSO ATTRAVERSO IL SITO WEB. SITO WEB (AL MOMENTO DELLA REDAZIONE DI QUESTA NOTA): http://webusers.fis.uniroma3.it/
[BK] W. Buckel, R. Kleiner, "Superconductivity - Fundamentals and Applications", Wiley
[EH] C. Enss, S. Hunklinger, "Low-Temperature Physics", Springer
[FS] K. Fossheim, A. Sudbø, "Superconductivity - Physics and applications", John Wiley and Sons, Ltd.
[IW] Iwasa, "Case Studies in Superconducting Magnets", 2nd Edition, Springer
[OD] T.P. Orlando, K.A. Delin, "Foundations of Applied Superconductivity", Addison Wesley si vedano anche le slide del corso "Applied Superconductivity" del MIT (Open CourseWare)
[OPe] F. J. Owens, Ch. P. Poole, Jr., "Electromagnetic Absorption in the Copper Oxide Superconductors", Springer
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FIS/03
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Attività formative affini ed integrative
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20801863 -
COMPONENTI A IPERFREQUENZE
(obiettivi)
LO SCOPO DEL CORSO È QUELLO DI FORNIRE LE NOZIONI FONDAMENTALI PER IL PROGETTO ACCURATO DI CIRCUITI E COMPONENTI A MICROONDE E AD ONDE MILLIMETRICHE, QUALI ACCOPPIATORI DIREZIONALI, FILTRI, DIODI OPERANTI AD ALTISSIMA FREQUENZA, MIXER, AMPLIFICATORI A TRANSISTOR E DI POTENZA, OSCILLATORI. PARTICOLARE RILIEVO VIENE DATO ALL'IMPATTO CHE L'USO DI NUOVI MATERIALI ARTIFICIALI COME I METAMATERIALI PUÒ AVERE SUL MIGLIORAMENTO DELLE PRESTAZIONI DI TALI COMPONENTI. AL TERMINE DEL CORSO GLI STUDENTI AVRANNO INOLTRE CONSEGUITO LA CAPACITÀ DI UTILIZZARE UN TIPICO PROGRAMMA PER IL CAD A IPERFREQUENZE.
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Erogato presso
20801863 COMPONENTI A IPERFREQUENZE in INGEGNERIA DELLE TECNOLOGIE DELLA COMUNICAZIONE E DELL'INFORMAZIONE (DM 270) LM-27 TOSCANO ALESSANDRO
( programma)
PARTE 1 - Le Linee di Trasmissione, Adattamento delle linee di trasmissione, Carta di Smith, Reti di adattamento a banda stretta, Teoria delle piccole riflessioni, Reti di adattamento a banda larga, Trasformatore binomiale e di Chebyshev, Rappresentazione a matrici delle reti a microonde, Matrice ABCD, Matrice dellle impedenze e delle ammettenze, Matrice di scattering e relazioni con le altre rappresentazioni matriciali.
PARTE 2 - Matrice di Scattering [S] di una rete a N porte, Proprietà del componente osservando la matrice [S]: Reciprocità, Adattamento, Lossless, Condizione di matrice unitaria per la matrice [S], Analisi di un componente a partire dalla sua matrice di scattering, Analisi di un componente con porte chiuse su un carico diverso dall'impedenza caratteristica, Rappresentazione a Grafo della matrice [S] per l'analisi dei componenti
PARTE 3 - Reti a 3 Porte, Analisi di una rete 3 porte generica,Circolatore a microonde, Definizione della Matrice [S] di un circolatore, Principio di funzionamento di un circolatore, Teoria e Progettazione di un Circolatore, Divisori di Potenza, Definizione della Matrice [S] di un divisore, Proprietà del Componente,Divisore a giunzione, Divisore resisitivo, Divisore di Wilkinson, Analisi modale di un divisore di Wilkinson, Divisori bilanciati e sbilanciati,Divisori a 2 uscite, Divisori ad N uscite,Progettazione di un divisore di potenza
PARTE 4 - Reti a 4 porte, Analisi di una rete 4 porte generica, Accoppiatore Direzionale (AD), Tipi di Accoppiatore direzionale (simmetrico, antisimmetrico, ibrido), Proprietà e parametri di un AD, Waveguide Directional Couplers: Bethe Hole Coupler, Double Bethe Hole Coupler, Multi hole Bethe Coupler, Coupled Lines Directional Couplers, Teoria delle linee accoppiate e progettazione tramite Curve Z0e e Z0o, Accoppiatore direzionale ibrido, Ibrido in quadratura: analisi modale e progettazione, Ibrido a 180°: analisi modale e progettazione
PARTE 5 - Analisi e progettazioni di Filtri a Microonde, reti di adattamento di amplificatori a microonde, Introduzione all'analisi e progettazione di componenti in metamateriale.
( testi)
David Pozar, Microwave engineering 4th Edition S.J. Orfanidis, Electromagnetic Waves and Antennas I Bahl and P. Bhartia, Microwave solid state circuit design
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ING-INF/02
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Attività formative caratterizzanti
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20801926 -
ELETTRONICA DEI DISPOSITIVI A STATO SOLIDO
(obiettivi)
IL CORSO SI PROPONE DI ILLUSTRARE IL FUNZIONAMENTO DEI PRINCIPALI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE BASATI SU OMO E ETEROGIUNZIONE; IL LORO COLLEGAMENTO VERSO IL MONDO ESTERNO, LA FORMAZIONE DI CONTATTI OHMICI OPPURE RADDRIZZANTI UTILIZZATI IN MICRO E NANOELETTRONICA. VERRANNO STUDIATE LE CARATTERISTICHE A BASSA E ALTA FREQUENZA E I MODELLI MATEMATICI DEI MESFET, MOSFET, BJT, HBT, E QUELLI PIÙ AVANZATI CHE UTILIZZANO STRUTTURE QUANTISTICHE CHE PRODUCONO CONFINAMENTO DEI PORTATORI DI CARICA COME GLI HEMT E PHEMT, I MODFET BASATI SU GAAS/ALGAAS E GAN/ALGAN. VERRANNO ANCHE STUDIATI I DISPOSITIVI DI BASE PER LE APPLICAZIONI A MICROONDE COME I DIODI A TEMPO DI TRANSITO, I DISPOSITIVI A TUNNELING RISONANTE, ECC.
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CONTE GENNARO
( programma)
1. Fisica dei Semiconduttori. Materiali per l’elettronica. Struttura a bande e proprietà generali. Semiconduttori IV, III-V e II-VI. Leghe. Semiconduttori amorfi e policristallini. Portatori intrinseci. Conducibilità. Drogaggio. Mobilità e fattori che la influenzano. Fenomeni di non-equilibrio. Trascinamento/deriva dei portatori di carica. L’equazione di Fick: diffusione. Ricombinazione e generazione. Banda-banda termica. Teoria SHR a un livello trappola. - L’equazione di continuità di elettroni e lacune. Condizioni al contorno. Equazione di Poisson. La relazione di Einstein. Quasi-livelli di Fermi. Modello matematico di un semiconduttore. - Teorema di Ramo. Fotoconducibilità. Fotoresistenze. Guadagno fotoconduttivo.
2. Dispositivi Bipolari. La giunzione pn. Caratteristiche statiche. Polarizzazione diretta e inversa. Profilo dei portatori in eccesso. Correnti di drift e diffusione. Il diodo ideale di Shockley. Elettrostatica della giunzione p+-n. Potenziale e campo elettrico. Caratteristiche dinamiche. Capacità di transizione. Un modello matematico per il diodo. Fattore di qualità. Coefficiente di temperatura. Il transistore prototipo. Transistori per IC. Dispositivi per commutazione e amplificazione. Transistore Schottky. Dispositivi verticali e laterali. BJT pnp. Il BJT come interruttore e amplificatore. Guadagno di corrente. Numero di Gummel. Effetto Early. Effetto Kirk. Modello per piccoli. La giunzione pn alla luce. Il fotodiodo pin. APD-Avalanche Photodiode. Risposta spettrale. Elettroluminescenza. Drogaggio. Transizioni radiative e non-radiative. Tempo di vita dei minoritari. Efficienza di luminescenza. Efficienza di estrazione. Architetture dei dispositivi. LED per IR, Vis e UV. Eterogiunzioni: la giunzione Ge-GaAs. Allineamento delle bande. Teoria di Anderson. Giunzioni anisotipo. Il transistore ideale. HBT-Npn a eterogiunzione. Modello termoionico-Diffusivo. Correnti termoioniche in eccesso. Correnti di diffusione.
3. Dispositivi Unipolari. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e Fbi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n. JFET e MESFET. Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS à VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS à VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore. Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. MOSFET: modello a controllo di carica. NMOS, PMOS e CMOS. Dispositivi a svuotamento e arricchimento. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Leggi di scala.
Elementi di Tecnologie micro/nanoelettroniche. Crescita e purificazione del Silicio. Drogaggio per Diffusione. Impiantazione Ionica. Evaporazione dei metalli, Fotolitografia, Reactive Ion Etching. Ossidazione del Silicio. Epitassia. Tecnologia BJT, NMOS e CMOS.
( testi)
D.A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices, 3rd Ed., McGraw-Hill, 2003. R.S Muller, T.I. Kamins - Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Ed., John Wiley, 2009
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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20802122 -
SENSORI E TRASDUTTORI
(obiettivi)
Lo scopo del corso è descrivere i principi di funzionamento dei principali sensori e trasduttori a ultrasuoni. Saranno fornite agli studenti le conoscenze di base dell’acustoelettronica, in modo da fornire gli strumenti per l’analisi e la simulazione dei sistemi di trasduzione. Particolare enfasi sarà data ai sensori capacitivi microlavorati su silicio, che rappresentano lo stato dell’arte dell’attuale tecnologia dei microsensori integrati. È prevista una parte esercitativa in laboratorio.
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CALIANO GIOSUE'
( programma)
Il corso verterà sui seguenti argomenti: • Introduzione • Richiami di Acustica • Equazione dell'onda piana; onda sferica • Riflessione e rifrazione dell'onda • Concetto di impedenza acustica • Impedenza di radiazione • Principali applicazioni degli ultrasuoni (misuratore di distanza, sistemi ecografici, microscopio acustico, ecc.) • Trasduttori piezoelettrici: teoria e tecnologia • Trasduttori CMUT: teoria di funzionamento • Trasduttori CMUT: tecnologia • Caratterizzazione e misure di trasduttori ad ultrasuoni
( testi)
• Appunti e dispense dalle lezioni • Kino, “Acoustic waves: devices, imaging and analog signal processing” • Kinsler, Frey, Coppers, Sanders “Fundamentals of acoustics” • Morse, Ingard, “Theoretical acoustics” • Beranek, “Acoustics measurements” • J. W. Gardner: “Microsensors: Principles and applications”, J. Wiley & Sons. • Piezoelectric and Acoustic Materials for Transducer Applications, edited by Ahmad Safari, E. Koray Akdogan - ISBN 978-0-387-76538-9 , 2008 Springer Science
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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