Università Roma Tre

Il corso si propone di illustrare le metodologie più avanzate per lo studio, la simulazione e l’analisi dei dispositivi elettronici e optoelettronici a stato solido. Verranno illustrati i meccanismi fisici alla base del funzionamento dei più moderni dispositivi basati su semiconduttori a larga gap, quali GaN, GaAs e AlGaAs, così come quelli più tradizionali fabbricati in Silicio. Inoltre, attraverso opportune leggi di scala, verranno analizzati i limiti intravisti per le tecnologie correnti con l’indicazione delle possibili soluzioni