| FISICA DEI DISPOSITIVI ELETTRONICI ED OPTOELETTRONICI
(obiettivi)
Il corso si propone di illustrare le metodologie più avanzate per lo studio, la simulazione e l’analisi dei dispositivi elettronici e optoelettronici a stato solido.
Verranno illustrati i meccanismi fisici alla base del funzionamento dei più moderni dispositivi basati su semiconduttori a larga gap, quali GaN, GaAs e AlGaAs, così
come quelli più tradizionali fabbricati in Silicio. Inoltre, attraverso opportune leggi di scala, verranno analizzati i limiti intravisti per le tecnologie correnti con
l’indicazione delle possibili soluzioni
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Codice
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20410049 |
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Lingua
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ITA |
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Tipo di attestato
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Attestato di profitto |
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Crediti
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6
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Settore scientifico disciplinare
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FIS/03
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Ore Aula
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48
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Attività formativa
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Attività formative a scelta dello studente (art.10, comma 5, lettera a)
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Canale Unico
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Docente
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CONTE GENNARO
(programma)
Contatto Metallo-Semiconduttore. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e bi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n
Dispositivi bipolari BJT e HBT. Il transistore prototipo. Transistori per IC. Dispositivi per commutazione e amplificazione. Tecnologia. Transistore Schottky. Dispositivi verticali e laterali. BJT pnp. Il BJT come interruttore e amplificatore. Regioni di operazione. Guadagno di corrente. Numero di Gummel. Effetto Early. Effetto Kirk. Modello per piccoli e grandi segnali. Modello a controllo di carica. Equivalenza tra modelli. Polarizzazione. Dinamica. Caratteristiche di ingresso e uscita. Modello in Pspice. Il transistore ideale. HBT-Npn a eterogiunzione. Modello termoionico-Diffusivo. Correnti termoioniche in eccesso. Correnti di diffusione.
Dispositivi unipolari: JFET e MESFET Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT.
Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. Capacità del diodo. Risposta in frequenza. Dispositivi MOSFET ad arricchimento e a svuotamento. Tensione di soglia. Carica nel semiconduttore. Modello a controllo di carica. Parametri caratteristici. Fenomeni di modulazione del canale. Mosfet con gate flottante. FAMOS. CMOS. Latch-up. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Hot carriers. Leggi di scala. Modelli in Pspice.
(testi)
S.M. Sze, K. K. Ng - Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., Wiley
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Date di inizio e termine delle attività didattiche
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Dal al |
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Modalità di erogazione
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Tradizionale
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Modalità di frequenza
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Non obbligatoria
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Metodi di valutazione
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Prova orale
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Università Roma Tre