Università Roma Tre

METAMATERIALI: DEFINIZIONE – UTILIZZO PER IL MIGLIORAMENTO DELLE PRESTAZIONI DEI COMPONENTI A IPERFREQUENZE.
MATRICI DI DIFFUSIONE: DEFINIZIONE DI COMPONENTE A IPERFREQUENZE - SOLUZIONE DELLA EQUAZIONE DEI TELEGRAFISTI IN MEZZI OMOGENEI E NON OMOGENEI - DEFINIZIONE DI TENSIONE, CORRENTE ED IMPEDENZA NELLE GUIDE - TEOREMI DI UNICITÀ, LINEARITÀ, RECIPROCITÀ – DEFINIZIONI, PROPRIETÀ E TEOREMI DELLE MATRICI DI DIFFUSIONE.
COMPONENTI RECIPROCI: COMPONENTI A DUE PORTE: MATRICI DI TRASMISSIONE, PERDITE DI INSERZIONE, ATTENUATORI PER RIFLESSIONE E PER DISSIPAZIONE, SFASATORI, SFASATORE A SPOSTAMENTO DI LAMINA, SFASATORE A LAMINA ROTANTE - GIUNZIONI A TRE PORTE: GIUNZIONI AD Y, GIUNZIONI A T - GIUNZIONI A QUATTRO PORTE: T IBRIDO E T MAGICO - ACCOPPIATORI DIREZIONALI IN GUIDA: A PIÙ FORI, A SINGOLO FORO (BETHE), CON FESSURE A T ED A LUNGA FESSURA - ACCOPPIATORI DIREZIONALI IN MICROSTRISCIA: A LINEE ACCOPPIATE, DI LANGE, BRANCH-LINE, AD ANELLO IBRIDO - DIVISORE DI WILKINSON.
ELEMENTI RISONANTI: CAVITÀ CILINDRICHE - CAVITÀ CON PICCOLO GAP - ACCOPPIAMENTO CON LE CAVITÀ RISONANTI - Q ED ALTRI FATTORI DI MERITO DI UNA CAVITÀ - PERTURBAZIONE DI UNA CAVITÀ -RISONATORI A DISCO CIRCOLARE - RISONATORI DIELETTRICI.
FILTRI A MICROONDE: PROGETTO COL METODO DELLA PERDITA D' INSERZIONE: FILTRI DI BUTTERWORTH E DI CHEBYSCHEV - IL FILTRO PROTOTIPO E LE TRASFORMAZIONI DI FREQUENZA - GLI INVERTITORI DI IMPEDENZA E DI AMMETTENZA - FILTRI A MICROSTRISCE A MEZZA LUNGHEZZA D' ONDA - FILTRI CON MICROSTRISCE ACCOPPIATE - FILTRI A RISONATORI ACCOPPIATI.
GIUNZIONI NON RECIPROCHE A FERRITE: ISOLATORI: A ROTAZIONE DI FARADAY, A RISONANZA, A SPOSTAMENTO DI CAMPO - CIRCOLATORI A TRE E QUATTRO PORTE. ANALISI DEI CAMPI DEL CIRCOLATORE A TRE PORTE SU LINEA A STRISCIA.
SISTEMI DI TRASMISSIONE AD ACCOPPIAMENTO DI CAMPO: FORMALISMO GENERALE - ACCOPPIAMENTO TRA DUE MODI, ATTIVO E PASSIVO - L'ACCOPPIATORE CODIREZIONALE - L'ACCOPPIATORE CONTRO DIREZIONALE
COMPONENTI E CIRCUITI ATTIVI: A STATO SOLIDO: IL TRANSISTOR BIPOLARE A MICROONDE - IL TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO METALLO SEMICONDUTTORE, IL TRANSISTOR ETEROGIUNZIONE (AL GA AS) - (GA AS) AD ALTA MOBILITÀ ELETTRONICA. PROGETTO DI UN AMPLIFICATORE A PARTIRE DAI PARAMETRI S. MISCELATORI. TUBI SOTTO VUOTO: AMPLIFICATORI A KLYSTRON - AMPLIFICATORI AD ONDA LENTA PROGRESSIVA - AMPLIFICATORI AD ONDA VELOCE (GYROTRON) -MAGNETRON OSCILLATORE

• D. M. POZAR: MICROWAVE ENGINEERING, WILEY ACADEMIC.
• R. E. COLLIN: FOUNDATIONS FOR MICROWAVE ENGINEERING. MCGRAW-HILL.