Università Roma Tre

Dispositivi Unipolari. La barriera metallo-semiconduttore. Il diodo Schottky. Funzione lavoro e affinità elettronica. Caratteristica I-V ideale. Contatto Ohmico. Carica di superficie e lunghezza di Debye . Elettrostatica della giunzione M-S. Trasporto nella SCR. Corrente termoionica. Corrente di drift-diffusione. Abbassamento della barriera. Carica nella SCR: valutazione di Nd e Fbi. Drogaggio non uniforme. Giunzione metallo-n+-n. JFET e MESFET. Resistenza del canale. Caratteristica di ingresso: iDS à VGS. La corrente di drain, iDS. Transcaratteristica: iDS à VDS. Transconduttanza, gm. Conduttanza di canale, gd. Il JFET come amplificatore di segnale. Comportamento dinamico. Modello di piccolo segnale. Comportamento in frequenza e fT. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore. Il diodo MIS. Capacità del sistema MOS. Analisi all’equilibrio termico. Stati di interfaccia. Carica nell’ossido. Elettronica del MOS. MOSFET: modello a controllo di carica. NMOS, PMOS e CMOS. Dispositivi a svuotamento e arricchimento. Correnti sottosoglia. Effetti geometrici. Leggi di scala.
- Teorema di Ramo. Fotoconducibilità. Fotoresistenze. Guadagno fotoconduttivo.
La giunzione pn alla luce. Il fotodiodo pin. APD-Avalanche Photodiode. Risposta spettrale. Elettroluminescenza. Drogaggio. Transizioni radiative e non-radiative. Tempo di vita dei minoritari. Efficienza di luminescenza. Efficienza di estrazione. Architetture dei dispositivi. LED per IR, Vis e UV.

D.A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices, 3rd Ed., McGraw-Hill, 2003.
R.S Muller, T.I. Kamins - Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Ed., John Wiley, 2009