Università Roma Tre

RIDUZIONE DELLE DIMENSIONI IN UN TRANSISTOR A EFFETTO DI CAMPO
POSSIBILI SCENARI DI SVILUPPO TECNOLOGICO PER LA RIDUZIONE DELLE DIMENSIONI MINIME DEI MOSFET:
LEGGI DI SCALA A CAMPO E A TENSIONE COSTANTE, LEGGE DI SCALA GENERALE.
MOSFET NANOMETRICI: TRASPORTO BALISTICO,

NANOSTRUTTURE A CONFINAMENTO 2D
ETEROSTRUTTURE A SEMICONDUTTORE: BANDGAP ENGINERING.
ETEROGIUNZIONI ANISOTIPO
BARRIERE DI POTENZIALE
TUNNELING ELETTRONICO ATTRAVERSO UNA BARRIERA DI POTENZIALE
TUNNELING DI UNA DOPPIA BARRIERA E TUNNELING RISONANTE
BUCHE DI POTENZIALE
QUANTIZZAZIONE DEI LIVELLI ENERGETICI E DENSITÀ DEGLI STATI
DISPOSITIVI BASATI SU NANO STRUTTURE 2D
DIODI A TUNNELING RISONANTE (RTD)
CONFINAMENTO SPAZIALE DI CARICA NELLE ETEROGIUNZIONI ISOTIPO
FORMAZIONE DI UN GAS DI PORTATORI 2D
DISPOSITIVI AD ALTA MOBILITÀ ELETTRONICA (HEMT).
HEMT IN SIGE, ALGAAS E ALGAN.
DISPOSITIVI A BUCA QUANTICA
SUPERRETICOLI
NANOMATERIALI 2D
SUPERFICI NANO STRUTTURATE
SILICIO POROSO
GRAFENE
TECNOLOGIE DI REALIZZAZIONE DI NANO STRUTTURE 2D

NANOSTRUTTURE A CONFINAMENTO 1D
NANOWIRE (NANOFILI): QUANTIZZAZIONE DEI LIVELLI ENERGETICI E DENSITÀ DEGLI STATI
NANOMATERIALI 1D
NANOTUBI DI CARBONIO
PROPRIETÀ ELETTRONICHE E OPTOELETTRONICHE DI NANO TUBI DI CARBONIO
DISPOSITIVI BASATI SU NANO TUBI

NANOSTRUTTURE A CONFINAMENTO 0D
QUANTUM DOTS:QUANTIZZAZIONE DEI LIVELLI ENERGETICI E DENSITÀ DEGLI STATI
NANOPARTICELLE
EFFETTO DI COULOMB BLOCKADE
DISPOSITIVI BASATI SU NANO STRUTTURE 0D
TRANSISTOR A SINGOLO ELETTRONE E SUE APPLICAZIONI
TECNOLOGIE DI REALIZZAZIONE DI NANO STRUTTURE 0D

SLIDES DELLE LEZIONI
M. DRAGOMAN, D. DRAGOMAN “NANOELECTRONICS, PRINCIPLE AND DEVICES”, HARTECH HOUSE, 2009.