Università Roma Tre

IL CORSO SI PROPONE DI ILLUSTRARE IL FUNZIONAMENTO DEI PRINCIPALI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE BASATI SU OMO E ETEROGIUNZIONE; IL LORO COLLEGAMENTO VERSO IL MONDO ESTERNO, LA FORMAZIONE DI CONTATTI OHMICI OPPURE RADDRIZZANTI UTILIZZATI IN MICRO E NANOELETTRONICA. VERRANNO STUDIATE LE CARATTERISTICHE A BASSA E ALTA FREQUENZA E I MODELLI MATEMATICI DEI MESFET, MOSFET, BJT, HBT, E QUELLI PIÙ AVANZATI CHE UTILIZZANO STRUTTURE QUANTISTICHE CHE PRODUCONO CONFINAMENTO DEI PORTATORI DI CARICA COME GLI HEMT E PHEMT, I MODFET BASATI SU GAAS/ALGAAS E GAN/ALGAN. VERRANNO ANCHE STUDIATI I DISPOSITIVI DI BASE PER LE APPLICAZIONI A MICROONDE COME I DIODI A TEMPO DI TRANSITO, I DISPOSITIVI A TUNNELING RISONANTE, ECC.